FGA25N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

FGA25N120ANTDTU-F109 管装

IGBT NPT 和沟道 1200 V 50 A 312 W 通孔 TO-3P

得捷:
IGBT 1200V 50A 312W TO3P

立创商城:
312W 1200V 50A

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube

FGA25N120ANTDTU-F109中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 312000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 350 ns

额定功率Max 312 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 312000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Consumer Appliances

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FGA25N120ANTDTU-F109引脚图与封装图

暂无图片

在线购买FGA25N120ANTDTU-F109

型号	制造商	描述	购买
FGA25N120ANTDTU-F109	ON Semiconductor 安森美	FGA25N120ANTDTU-F109 管装	搜索库存