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FGB20N60SFD-F085

FGB20N60SFD-F085

数据手册.pdf

ON Semiconductor FGB20N60SFD_F085 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

汽车 IGBT,Fairchild Semiconductor

来自 Fairchild Semiconductor 的一系列场截止沟道
.
* IGBT**,已通过压力测试,并符合 AEC-Q101 标准。

### 特点

• 正温度系数易于并行操作

• 高电流容量

• 低饱和电压

• 高输入阻抗

• 收紧参数分布

### RS 产品代码

864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2

864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A TO247

864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A TO247

135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263

135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263(每包 800 个)

864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247

124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247(每包 30 个)

### 注

所述电流额定值在结点温度为 Tc = +100°C 时适用。

### 标准

AEC-Q101

FGB20N60SFD-F085中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 208000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 111 ns

额定功率Max 208 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-2

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FGB20N60SFD-F085引脚图与封装图
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FGB20N60SFD-F085 ON Semiconductor 安森美 ON Semiconductor FGB20N60SFD_F085 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装 搜索库存