FF1200R12IE5BPSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.2 kA, 1.7 V, 1.2 kV, Module

IGBT 模块沟槽型场截止半桥 1200 V 2400 A 20 mW 底座安装模块

得捷:
IGBT MOD 1200V 2400A 20MW

e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.2 kA, 1.7 V, 1.2 kV, Module

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 10-Pin PRIME2-5 Tray

Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 10-Pin PRIME2-5 Tray

FF1200R12IE5BPSA1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 65.5nF @25V

额定功率Max 20 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

引脚数 10

封装 AG-PRIME2-5

外形尺寸

封装 AG-PRIME2-5

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives, Commercial and Agriculture Vehicles, Solar, Uninterruptible Power Supply UPS

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FF1200R12IE5BPSA1引脚图与封装图

FF1200R12IE5BPSA1电路图

在线购买FF1200R12IE5BPSA1

型号	制造商	描述	购买
FF1200R12IE5BPSA1	Infineon 英飞凌	晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.2 kA, 1.7 V, 1.2 kV, Module	搜索库存