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CSD25485F5T

CSD25485F5T

TI(德州仪器) 电子元器件分类

-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.8x1.5、42mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150

表面贴装型 P 通道 5.3A(Ta) 1.4W(Ta) 3-PICOSTAR


立创商城:
CSD25485F5T


德州仪器TI:
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 42 mOhm, gate ESD protection


得捷:
MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR


贸泽:
MOSFET 20V P-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R


CSD25485F5T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 250 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 1.4 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 5.3A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 410pF @10VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PICOSTAR-3

外形尺寸

长度 1.53 mm

宽度 0.77 mm

高度 0.35 mm

封装 PICOSTAR-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD25485F5T引脚图与封装图
CSD25485F5T引脚图

CSD25485F5T引脚图

CSD25485F5T封装图

CSD25485F5T封装图

CSD25485F5T封装焊盘图

CSD25485F5T封装焊盘图

在线购买CSD25485F5T
型号 制造商 描述 购买
CSD25485F5T TI 德州仪器 -20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.8x1.5、42mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD25485F5T

品牌: TI 德州仪器

封装:

当前型号

-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.8x1.5、42mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150

当前型号

型号: CSD25485F5

品牌: 德州仪器

封装: P-CH 20V 5.3A

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