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CSD17555Q5A

CSD17555Q5A

TI(德州仪器) 分立器件

30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET、CSD17555Q5A

此 NexFET 功率 MOSFET 被设计用于在功率转换应用中大大降低功率损失。

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超低 Qg和 Qgd
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低热阻
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雪崩级
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无铅端子镀层
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符合 RoHS 标准
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无卤素
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小外形无引线 SON 5mm × 6mm 塑料封装

得捷:
MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON


立创商城:
CSD17555Q5A


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.7 mOhm


贸泽:
MOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 116A 8-Pin SON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON


CSD17555Q5A中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 4650pF @15VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 5.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-FET-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 4.9 mm

高度 1 mm

封装 VSON-FET-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CSD17555Q5A引脚图与封装图
CSD17555Q5A引脚图

CSD17555Q5A引脚图

CSD17555Q5A封装图

CSD17555Q5A封装图

CSD17555Q5A封装焊盘图

CSD17555Q5A封装焊盘图

在线购买CSD17555Q5A
型号 制造商 描述 购买
CSD17555Q5A TI 德州仪器 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET、CSD17555Q5A 搜索库存
替代型号CSD17555Q5A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD17555Q5A

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON-FET-8 N-CH 30V 24A

当前型号

30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET、CSD17555Q5A

当前型号

型号: CSD17553Q5A

品牌: 德州仪器

封装: VSON-FET-8 N-CH 30V 23.5A

类似代替

N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD17553Q5A

CSD17555Q5A和CSD17553Q5A的区别

型号: FDMS7660

品牌: 飞兆/仙童

封装: PQFN N-Channel 30V 25A

功能相似

MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

CSD17555Q5A和FDMS7660的区别