BC848CWT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 150 mW
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 270
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 420
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC848CWT1G引脚图与封装图
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在线购买BC848CWT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC848CWT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BC848CWT1G 新 | 搜索库存 |
替代型号BC848CWT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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