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AOK60N30L
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

N沟道 300V 60A

通孔 N 通道 60A(Tc) 658W(Tc) TO-247


得捷:
MOSFET N-CH 300V 60A TO247


立创商城:
N沟道 300V 60A


艾睿:
Compared to traditional transistors, AOK60N30L power MOSFETs, developed by Alpha &a; Omega Semiconductor, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 658000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin3+Tab TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 300V 60A TO247


AOK60N30L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 658 W

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 222 ns

输入电容Ciss 5330pF @25VVds

下降时间 132 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 658W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOK60N30L引脚图与封装图
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