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ATF-54143-TR1G

ATF-54143-TR1G

数据手册.pdf
AVAGO Technologies 安华高科 主动器件
ATF-54143-TR1G中文资料参数规格
技术参数

频率 2 GHz

额定电压DC 5.00 V

额定电流 120 mA

极性 N-Channel

耗散功率 725 mW

阈值电压 380 mV

漏源极电压Vds 5 V

连续漏极电流Ids 120 mA

输出功率 20.4 dBm

增益 16.6 dB

测试电流 60 mA

工作温度Max 150 ℃

额定电压 5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

ATF-54143-TR1G引脚图与封装图
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在线购买ATF-54143-TR1G
型号 制造商 描述 购买
ATF-54143-TR1G AVAGO Technologies 安华高科 Trans JFET N-CH 5V 120mA 4Pin3+Tab SOT-343 T/R 搜索库存
替代型号ATF-54143-TR1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ATF-54143-TR1G

品牌: AVAGO Technologies 安华高科

封装: SOT-343 N-Channel 5V 60A 725mW

当前型号

Trans JFET N-CH 5V 120mA 4Pin3+Tab SOT-343 T/R

当前型号

型号: ATF-54143-TR1

品牌: 安华高科

封装: SOT-343 5V 120mA 725mW

完全替代

IC TRANS E-PHEMT 2GHz SOT-343

ATF-54143-TR1G和ATF-54143-TR1的区别

型号: ATF-54143-TR2G

品牌: 安华高科

封装: SOT-343 3V 60mA

类似代替

射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage

ATF-54143-TR1G和ATF-54143-TR2G的区别