频率 2 GHz
额定电压DC 5.00 V
额定电流 120 mA
极性 N-Channel
耗散功率 725 mW
阈值电压 380 mV
漏源极电压Vds 5 V
连续漏极电流Ids 120 mA
输出功率 20.4 dBm
增益 16.6 dB
测试电流 60 mA
工作温度Max 150 ℃
额定电压 5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
封装 SOT-343
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ATF-54143-TR1G | AVAGO Technologies 安华高科 | Trans JFET N-CH 5V 120mA 4Pin3+Tab SOT-343 T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ATF-54143-TR1G 品牌: AVAGO Technologies 安华高科 封装: SOT-343 N-Channel 5V 60A 725mW | 当前型号 | Trans JFET N-CH 5V 120mA 4Pin3+Tab SOT-343 T/R | 当前型号 | |
型号: ATF-54143-TR1 品牌: 安华高科 封装: SOT-343 5V 120mA 725mW | 完全替代 | IC TRANS E-PHEMT 2GHz SOT-343 | ATF-54143-TR1G和ATF-54143-TR1的区别 | |
型号: ATF-54143-TR2G 品牌: 安华高科 封装: SOT-343 3V 60mA | 类似代替 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage | ATF-54143-TR1G和ATF-54143-TR2G的区别 |