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APT80SM120J

数据手册.pdf

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2kV 51A 4Pin SOT-227

底座安装 N 通道 1200 V 51A（Tc） 273W（Tc） SOT-227


得捷:
SICFET N-CH 1200V 51A SOT227


艾睿:
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET


APT80SM120J中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 273W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

耗散功率Max 273W Tc

封装参数

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

APT80SM120J引脚图与封装图
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