制造商型号: | APT80SM120J |
制造商: | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | POWER MOSFET - SIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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MICROSEMI(美高森美) APT80SM120J
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APT80SM120J 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT80SM120J
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
POWER MOSFET - SIC
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
51A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
55mOhm @ 40A, 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
235nC @ 20V
Vgs(最大值)
+25V, -10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
273W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
供应商器件封装
SOT-227
封装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
品牌其他型号
APT80SM120J品牌厂家:MICROSEMI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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