APTM120U10DAG

Microsemi(美高森美) 分立器件

单开关系列二极管， MOSFET功率模块 Single switch with Series diodes MOSFET Power Module

底座安装 N 通道 160A（Tc） 3290W（Tc） SP6

得捷:
MOSFET N-CH 1200V 160A SP6

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 116A 4-Pin Case SP-6

APTM120U10DAG中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3290W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 28900pF @25VVds

额定功率Max 3290 W

下降时间 62 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 3290W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SP-6

外形尺寸

封装 SP-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTM120U10DAG引脚图与封装图

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