制造商型号: | APTM120U10DAG |
制造商: | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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MICROSEMI(美高森美) APTM120U10DAG
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APTM120U10DAG 中文资料
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APTM120U10DAG 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTM120U10DAG
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
120mOhm @ 58A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 20mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
1100nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
28900pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3290W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
供应商器件封装
SP6
封装/外壳
SP6
品牌其他型号
APTM120U10DAG品牌厂家:MICROSEMI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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