ATP212-S-TL-H中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 23 mΩ
耗散功率 40 W
漏源击穿电压 60 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 ATPAK-3
外形尺寸
封装 ATPAK-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ATP212-S-TL-H引脚图与封装图
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在线购买ATP212-S-TL-H
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ATP212-S-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK | 搜索库存 |
替代型号ATP212-S-TL-H
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ATP212-S-TL-H 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： ATPAK-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK | 当前型号 |
| 型号： ATP212-TL-H 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 N-Channel | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | ATP212-S-TL-H和ATP212-TL-H的区别 |