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APTDC40H1201G

APTDC40H1201G

数据手册.pdf

碳化硅二极管全桥电源模块 SiC Diode Full Bridge Power Module

Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 1.2kV Chassis Mount SP1


得捷:
BRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 40A SP1


艾睿:
Diode Schottky 1.2KV 40A 12-Pin Case SP-1


APTDC40H1201G中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.8V @40A

正向电流Max 40 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTDC40H1201G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
APTDC40H1201G Microsemi 美高森美 碳化硅二极管全桥电源模块 SiC Diode Full Bridge Power Module 搜索库存
替代型号APTDC40H1201G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: APTDC40H1201G

品牌: Microsemi 美高森美

封装: SP1

当前型号

碳化硅二极管全桥电源模块 SiC Diode Full Bridge Power Module

当前型号

型号: APT40DC120HJ

品牌: 美高森美

封装: SOT-227-4

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