APTM20SKM04G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
耗散功率 1250 W
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 64 ns
输入电容Ciss 28900pF @25VVds
下降时间 116 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1250W Tc
安装方式 Chassis
引脚数 5
封装 SP-6
封装 SP-6
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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