APT60GF120JRDQ3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT60GF120JRDQ3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 115 A
耗散功率 625000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 7.08nF @25V
额定功率Max 625 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227
外形尺寸
封装 SOT-227
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT60GF120JRDQ3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT60GF120JRDQ3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT60GF120JRDQ3 | Microsemi 美高森美 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 149A 4Pin SOT-227 | 搜索库存 |