APTM120DA30CT1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 657W Tc
漏源极电压Vds 1200 V
连续漏极电流Ids 31A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 14560pF @25VVds
下降时间 90 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 657W Tc
安装方式 Screw
引脚数 12
封装 SP-1
封装 SP-1
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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