制造商型号： | APTM120DA30CT1G |
制造商： | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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MICROSEMI(美高森美) APTM120DA30CT1G
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APTM120DA30CT1G 中文资料
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APTM120DA30CT1G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTM120DA30CT1G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
包装
Bulk
系列
POWER MOS 8™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
360mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
560nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
14560pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
657W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
供应商器件封装
SP1
封装/外壳
SP1
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 100 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥694.712489 总价：￥69471.25 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 100 | 694.712489 | 69471.25 |
品牌其他型号
APTM120DA30CT1G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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