APTC90DDA12T1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTC90DDA12T1G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 30A
输入电容Ciss 6800pF @100VVds
额定功率Max 250 W
封装参数
安装方式 Screw
封装 SP-1
外形尺寸
封装 SP-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTC90DDA12T1G引脚图与封装图
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