APTGT50X60T3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGT50X60T3G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 176000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 3.15nF @25V
额定功率Max 176 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 176000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 32
封装 SP-3
外形尺寸
封装 SP-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGT50X60T3G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTGT50X60T3G | Microsemi 美高森美 | APTGT50x 系列 600 V 80 A 沟槽 + 场截止 IGBT3 功率 模块 - SP3 | 搜索库存 |