APTGL40H120T1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
耗散功率 220 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 1.95nF @25V
额定功率Max 220 W
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 220000 mW
安装方式 Chassis
引脚数 12
封装 SP-1
封装 SP-1
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APTGL40H120T1G | Microsemi 美高森美 | 全桥沟道+场截止IGBT 4电源模块 Full bridge Trench + Field Stop IGBT4 Power Module | 搜索库存 |