额定电压DC 1.00 kV
额定电流 28.0 A
耗散功率 690W Tc
输入电容 5.18 nF
栅电荷 186 nC
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 5185pF @25VVds
额定功率Max 690 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 690W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
APT10035B2LLG | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 1kV 28A 3Pin3+Tab T-MAX | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: APT10035B2LLG 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-264 1kV 28A 5.18nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1kV 28A 3Pin3+Tab T-MAX | 当前型号 | |
型号: APT10035B2FLLG 品牌: 美高森美 封装: TO-264 1kV 28A 5.18nF | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 1kV 28A 3Pin3+Tab T-MAX | APT10035B2LLG和APT10035B2FLLG的区别 | |
型号: APT10045B2LLG 品牌: 美高森美 封装: TO-264 1kV 23A 4.35nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 1kV 23A 3Pin3+Tab T-MAX | APT10035B2LLG和APT10045B2LLG的区别 | |
型号: APT10040B2VRG 品牌: 美高森美 封装: | 类似代替 | T-MAX N-CH 1000V 25A | APT10035B2LLG和APT10040B2VRG的区别 |