APT25GR120SSCD10

Microsemi(美高森美) 分立器件

功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules

IGBT NPT 1200 V 75 A 521 W 表面贴装型 D3Pak

得捷:
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin2+Tab D3PAK

富昌:
APT25GR120Sx Series 1200 V 75 A Surface Mount Ultra Fast NPT IGBT® - D3PAK

APT25GR120SSCD10中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 521000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 521 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 521000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Motor Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT25GR120SSCD10引脚图与封装图

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