APT33GF120B2RDQ2G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT33GF120B2RDQ2G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 64.0 A
耗散功率 357000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 357 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 357000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
APT33GF120B2RDQ2G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi 美高森美 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 357000mW 3Pin3+Tab T-MAX | 搜索库存 |