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MICROSEMI(美高森美) APT33GF120B2RDQ2G

MICROSEMI(美高森美) APT33GF120B2RDQ2G
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

APT33GF120B2RDQ2G

制造商:

MICROSEMI (美高森美)

产品类别:

晶体管-IGBT

商品描述:

IGBT 1200V 64A 357W TMAX

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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APT33GF120B2RDQ2G 中文资料

APT33GF120B2RDQ2G 规格参数

属性
参数值

制造商型号

APT33GF120B2RDQ2G

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

IGBT 1200V 64A 357W TMAX

包装

Tube

系列

-

零件状态

Active

IGBT 类型

NPT

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值)

64A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)

75A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

3V @ 15V, 25A

功率 - 最大值

357W

开关能量

1.315mJ (on), 1.515mJ (off)

输入类型

Standard

栅极电荷

170nC

25°C 时 Td(开/关)值

14ns/185ns

测试条件

800V, 25A, 4.3Ohm, 15V

反向恢复时间(trr)

-

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/外壳

TO-247-3 Variant

供应商器件封装

-

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥120.508266 总价:¥120.51

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 120.508266 120.51
100 104.062555 10406.26
品牌其他型号
APT33GF120B2RDQ2G品牌厂家:MICROSEMI ,所属分类: 晶体管-IGBT ,可在锐单商城现货采购APT33GF120B2RDQ2G、查询APT33GF120B2RDQ2G代理商; APT33GF120B2RDQ2G价格批发咨询客服;这里拥有 APT33GF120B2RDQ2G中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 APT33GF120B2RDQ2G替代型号APT33GF120B2RDQ2G数据手册PDF