APT20GN60BG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT20GN60BG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 40.0 A
耗散功率 136000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 136 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
APT20GN60BG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT20GN60BG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT20GN60BG | Microsemi 美高森美 | APT20GN60 系列 600 V 40 A 120 nC 136 W 9/140 ns 沟槽 IGBT - TO-247-3 | 搜索库存 |