ATP214-TL-H中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 N-CH
耗散功率 60 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 240 ns
输入电容Ciss 4850pF @20VVds
下降时间 250 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 ATPAK
外形尺寸
封装 ATPAK
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ATP214-TL-H引脚图与封装图
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| ATP214-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | 75A,60V,N沟道MOSFET | 搜索库存 |