ATP108-TL-H中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.008 Ω
耗散功率 60 W
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 340 ns
输入电容Ciss 3850pF @20VVds
额定功率Max 60 W
下降时间 290 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ATP108-TL-H引脚图与封装图
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在线购买ATP108-TL-H
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ATP108-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | -50A,-40V,P沟道MOSFET | 搜索库存 |
替代型号ATP108-TL-H
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ATP108-TL-H 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252-3 | 当前型号 | -50A,-40V,P沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： TP-108 品牌： 三洋 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 70A ID, 40V, 0.0104ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN AND LEAD FREE, ATPAK-3/2 | ATP108-TL-H和TP-108的区别 |
| 型号： TP10-8 品牌： 三洋 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 70A ID, 40V, 0.0104ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN AND LEAD FREE, ATPAK-3/2 | ATP108-TL-H和TP10-8的区别 |