APT75GN120J

Microsemi(美高森美) 分立器件

IGBT 1200V 124A 379W SOT227

IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP®

得捷:
IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 124A 379000mW 4-Pin SOT-227

APT75GN120J中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 4.8nF @25V

额定功率Max 379 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 379000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227

外形尺寸

封装 SOT-227

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT75GN120J引脚图与封装图

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