AS6C1008-55BIN

Alliance Memory(联盟记忆) 电子元器件分类

IC SRAM 1Mbit 55NS 36TFBGA

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 55ns 36-TFBGA 6x8

得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36TFBGA

立创商城:
AS6C1008 55BIN

TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36

AS6C1008-55BIN中文资料参数规格

技术参数

工作电压 2.7V ~ 5.5V

存取时间 55 ns

电源电压 2.7V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-36

外形尺寸

封装 TFBGA-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

AS6C1008-55BIN引脚图与封装图

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