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SILICON(芯成) IS61QDB22M18-250M3I

SILICON(芯成) IS61QDB22M18-250M3I
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IS61QDB22M18-250M3I

制造商:

SILICON (芯成)

产品类别:

存储器芯片-控制器芯片

商品描述:

IC MEMORY SRAM 165FBGA

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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IS61QDB22M18-250M3I 规格参数

属性
参数值

制造商型号

IS61QDB22M18-250M3I

制造商

SILICON(芯成)

商品描述

IC MEMORY SRAM 165FBGA

包装

Tray

系列

-

零件状态

Last Time Buy

存储器类型

Volatile

存储器格式

SRAM

技术

SRAM - Synchronous, QUAD

存储容量

36Mb (2M x 18)

存储器接口

Parallel

时钟频率

250MHz

写周期时间 - 字,页

-

访问时间

1.35ns

电压 - 电源

1.71V ~ 1.89V

工作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

安装类型

Surface Mount

封装/外壳

165-LBGA

供应商器件封装

165-LFBGA (15x17)

IS61QDB22M18-250M3I 引脚图与封装图

IS61QDB22M18-250M3I引脚图

IS61QDB22M18-250M3I引脚图

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服

价格(含增值税)

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