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SILICON(芯成) IS43DR86400C-3DBL-TR

SILICON(芯成) IS43DR86400C-3DBL-TR
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IS43DR86400C-3DBL-TR

制造商:

SILICON (芯成)

产品类别:

存储器芯片-控制器芯片

商品描述:

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

mouser
digikey

服务:

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客服:

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IS43DR86400C-3DBL-TR 中文资料

IS43DR86400C-3DBL-TR 规格参数

关键信息

制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列 -

包装 卷带(TR)

产品状态 不适用于新设计

技术类参数

可编程 未验证

存储器格式 DRAM

存储器组织 64M x 8

存储器接口 并联

最大时钟频率 333 MHz

写周期时间-字,页 15ns

访问时间 450 ps

电源电压 1.7V ~ 1.9V

规格参数

技术 SDRAM - DDR2

工作温度 0°C ~ 70°C(TA)

物理类型

存储器类型 易失

其它

存储容量 512Mb

产品编号 IS43DR86400

封装参数

产品安装类型 表面贴装型

封装 60-TFBGA

供应商器件封装 60-TWBGA(8x10.5)

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

2000 个

整装:

¥10
单价:¥49.936013 总价:¥99872.03

价格(含增值税)

数量 单价 总价
2000 49.936013 99872.03
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IS43DR86400C-3DBL-TR品牌厂家:SILICON ,所属分类: 存储器芯片-控制器芯片 ,可在锐单商城现货采购IS43DR86400C-3DBL-TR、查询IS43DR86400C-3DBL-TR代理商; IS43DR86400C-3DBL-TR价格批发咨询客服;这里拥有 IS43DR86400C-3DBL-TR中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 IS43DR86400C-3DBL-TR替代型号IS43DR86400C-3DBL-TR数据手册PDF