制造商型号： | IS43DR82560C-3DBL |
制造商： | SILICON (芯成) |
产品类别： | 存储器芯片-控制器芯片 |
商品描述： | IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 mouser digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICON(芯成) IS43DR82560C-3DBL
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IS43DR82560C-3DBL 中文资料
数据手册PDF
IS43DR82560C-3DBL 规格参数
关键信息
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包装 托盘
产品状态 在售
技术类参数
可编程 未验证
存储器格式 DRAM
存储器组织 256M x 8
存储器接口 并联
最大时钟频率 333 MHz
写周期时间-字，页 15ns
访问时间 450 ps
电源电压 1.7V ~ 1.9V
规格参数
技术 SDRAM - DDR2
工作温度 0°C ~ 85°C（TC）
物理类型
存储器类型 易失
其它
存储容量 2Gb
产品编号 IS43DR82560
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 60-TFBGA
供应商器件封装 60-TWBGA（8x10.5）
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 68.016665 | 68.02 |
| 10 | 63.011789 | 630.12 |
| 25 | 61.579584 | 1539.49 |
| 40 | 61.249301 | 2449.97 |
| 80 | 53.918398 | 4313.47 |
品牌其他型号
IS43DR82560C-3DBL品牌厂家：SILICON
，所属分类： 存储器芯片-控制器芯片
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