制造商型号： | DMG3N60SCT |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多DMG3N60SCT价格库存等采购信息！ |
DIODES(美台) DMG3N60SCT
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
DMG3N60SCT 中文资料
数据手册PDF
DMG3N60SCT 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3.3 A
漏源电阻 2.7 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 12.6 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 10.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
品牌其他型号
DMG3N60SCT品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMG3N60SCT、查询DMG3N60SCT代理商； DMG3N60SCT价格批发咨询客服；这里拥有
DMG3N60SCT中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
DMG3N60SCT替代型号
、
DMG3N60SCT数据手册PDF。