制造商型号： | FQPF2N80YDTU |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FQPF2N80YDTU
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FQPF2N80YDTU 中文资料
数据手册PDF
FQPF2N80YDTU 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 4.9 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导（Min） 2.2 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 16.07 mm
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 15.433804 | 15.43 |
| 10 | 13.862614 | 138.63 |
| 100 | 11.142929 | 1114.29 |
| 500 | 9.155166 | 4577.58 |
| 1000 | 7.585645 | 7585.65 |
品牌其他型号
FQPF2N80YDTU品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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