制造商型号: | BSZ039N06NSATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | TRENCH 40<-<100V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) BSZ039N06NSATMA1
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BSZ039N06NSATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSZ039N06NSATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 4.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 27 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ039N06NS SP002035226
单位重量 38.760 mg
BSZ039N06NSATMA1 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 5000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥11.538422 总价:¥57692.11 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5000 | 11.538422 | 57692.11 |
品牌其他型号
BSZ039N06NSATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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