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ST(意法半导体) STH265N6F6-2AG

ST(意法半导体) STH265N6F6-2AG
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请参阅产品规格

制造商型号:

STH265N6F6-2AG

制造商:

ST (意法半导体)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
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STH265N6F6-2AG 中文资料

STH265N6F6-2AG 规格参数

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制造商型号

STH265N6F6-2AG

制造商

ST(意法半导体)

商品描述

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2

包装

Tape & Reel (TR) Alternate Packaging

系列

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6

零件状态

Obsolete

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

180A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

2.1mOhm @ 60A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

183nC @ 10V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

11800pF @ 25V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

300W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

H2Pak-2

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
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