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ROCHESTER(罗彻斯特电子) NTHD4N02FT1G

ROCHESTER(罗彻斯特电子) NTHD4N02FT1G
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

NTHD4N02FT1G

制造商:

ROCHESTER (罗彻斯特电子)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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NTHD4N02FT1G 中文资料

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NTHD4N02FT1G 规格参数

属性
参数值

制造商型号

NTHD4N02FT1G

制造商

ROCHESTER(罗彻斯特电子)

商品描述

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

包装

Bulk

系列

-

零件状态

Obsolete

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

2.9A (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

4nC @ 4.5V

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

300pF @ 10V

FET 功能

Schottky Diode (Isolated)

功率耗散(最大值)

910mW (Tj)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

ChipFET™

封装/外壳

8-SMD, Flat Lead

库存: 238224

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1603 个

整装:

¥10
单价:¥2.347646 总价:¥3763.28
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1603 2.347646 3763.28
品牌其他型号
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