制造商型号: | TPH1R306PL,L1Q |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Toshiba(东芝) TPH1R306PL,L1Q
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TPH1R306PL,L1Q 中文资料
数据手册PDF
TPH1R306PL,L1Q 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIX-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 260 A
漏源电阻 1.34 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 91 nC
耗散功率 170 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.7 ns
上升时间 8.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
库存: 4071
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 25.314468 | 25.31 |
10 | 21.011009 | 210.11 |
100 | 16.726535 | 1672.65 |
500 | 14.153573 | 7076.79 |
1000 | 12.009059 | 12009.06 |
2000 | 11.408725 | 22817.45 |
品牌其他型号
TPH1R306PL,L1Q品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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