制造商型号: | R6009ENJTL |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 9A LPT |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) R6009ENJTL
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R6009ENJTL 中文资料
数据手册PDF
R6009ENJTL 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 94 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 R6009ENJ
单位重量 4 g
库存: 745
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 25.226881 | 25.23 |
10 | 22.65271 | 226.53 |
25 | 21.367684 | 534.19 |
100 | 16.665187 | 1666.52 |
250 | 16.237874 | 4059.47 |
500 | 14.101312 | 7050.66 |
品牌其他型号
R6009ENJTL品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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