制造商型号： | IXFN30N120P |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 mouser digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFN30N120P
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IXFN30N120P 中文资料
数据手册PDF
IXFN30N120P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
技术类参数
栅极电压 - 30 V, + 30 V
配置 Single
下降时间 56 ns
漏极电流 30 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 890 W
漏源电阻 350 mOhms
上升时间 60 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 95 ns
典型接通延迟时间 57 ns
漏源击穿电压 1.2 kV
外形参数
高度 9.6 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
物理类型
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | 253.157157 | 2531.57 |
品牌其他型号
IXFN30N120P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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