制造商型号: | SPD30P06PGBTMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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INFINEON(英飞凌) SPD30P06PGBTMA1
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SPD30P06PGBTMA1 中文资料
数据手册PDF
SPD30P06PGBTMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 69 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 5.2 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 13 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SPD30P06P G SP000441776
单位重量 330 mg
库存: 9111
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 21.183469 | 21.18 |
10 | 17.553788 | 175.54 |
100 | 13.97242 | 1397.24 |
500 | 11.823102 | 5911.55 |
1000 | 10.031798 | 10031.80 |
品牌其他型号
SPD30P06PGBTMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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