制造商型号: | SI4368DY-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI4368DY-T1-E3
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SI4368DY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI4368DY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 80 nC
耗散功率 3.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4368DY-T1
单位重量 187 mg
库存: 1
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 30.633955 | 30.63 |
10 | 27.522505 | 275.23 |
100 | 22.122522 | 2212.25 |
500 | 18.176147 | 9088.07 |
1000 | 15.060253 | 15060.25 |
品牌其他型号
SI4368DY-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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