制造商型号： | FDD86102 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDD86102
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FDD86102 中文资料
数据手册PDF
FDD86102 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.1 V
栅极电荷 13.4 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导（Min） 21 S
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 45222
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 21.046427 | 21.05 |
| 10 | 18.918656 | 189.19 |
| 100 | 15.211247 | 1521.12 |
| 500 | 12.497183 | 6248.59 |
| 1000 | 10.354727 | 10354.73 |
品牌其他型号
FDD86102品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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