制造商型号： | SIS402DN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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SILICONIX(威世) SIS402DN-T1-GE3
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SIS402DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIS402DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.15 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIJ484DP-T1-GE3
单位重量 1 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥24.503809 总价：￥24.50 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 24.503809 | 24.50 |
| 10 | 22.006078 | 220.06 |
| 100 | 17.687725 | 1768.77 |
| 500 | 14.532062 | 7266.03 |
| 1000 | 12.04096 | 12040.96 |
品牌其他型号
SIS402DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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