制造商型号： | IXFN100N20 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 mouser digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFN100N20
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IXFN100N20 中文资料
数据手册PDF
IXFN100N20 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HyperFET
技术类参数
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 30 ns
漏极电流 100 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 520 W
漏源电阻 23 mOhms
上升时间 80 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 30 ns
漏源击穿电压 200 V
外形参数
高度 9.6 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
物理类型
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
品牌其他型号
IXFN100N20品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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