制造商型号: | BSB165N15NZ3GXUMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) BSB165N15NZ3GXUMA1
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BSB165N15NZ3GXUMA1 中文资料
数据手册PDF
BSB165N15NZ3GXUMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 45 A
漏源电阻 13.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 24 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 0.7 mm
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSB165N15NZ3 G SP000617000
单位重量 86.370 mg
BSB165N15NZ3GXUMA1 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥444.816737 总价:¥444.82 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 444.816737 | 444.82 |
10 | 399.099461 | 3990.99 |
100 | 326.961307 | 32696.13 |
500 | 279.45488 | 139727.44 |
品牌其他型号
BSB165N15NZ3GXUMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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