制造商型号： | TK10Q60W,S1VQ |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Toshiba(东芝) TK10Q60W,S1VQ
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TK10Q60W,S1VQ 中文资料
数据手册PDF
TK10Q60W,S1VQ 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9.7 A
漏源电阻 327 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 80 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 45 ns
外形参数
高度 6.1 mm
长度 6.65 mm
宽度 2.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
库存： 10
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.078796 | 19.08 |
品牌其他型号
TK10Q60W,S1VQ品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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