制造商型号: | IPI60R199CPXKSA2 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | HIGH POWER_LEGACY |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPI60R199CPXKSA2
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IPI60R199CPXKSA2 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 199 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
外形参数
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPI60R199CP SP001109508
单位重量 2.387 g
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 500 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥25.639243 总价:¥12819.62 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
500 | 25.639243 | 12819.62 |
品牌其他型号
IPI60R199CPXKSA2品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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