制造商型号: | IPD12CN10NGATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPD12CN10NGATMA1
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IPD12CN10NGATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPD12CN10NGATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 67 A
漏源电阻 9.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 39 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 17 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD12CN10N G SP001127806
单位重量 330 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 2500 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥19.95003 总价:¥49875.08 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 19.95003 | 49875.08 |
品牌其他型号
IPD12CN10NGATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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